随着半导体制程逼近物理极限，7nm以下先进制程的研发成本呈指数级增长，单条产线投资超200亿美元，且良率提升难度持续加大。在此背景下，“先进封装”成为延续摩尔定律的关键路径——通过 Chiplet（芯粒）、CoWoS（晶圆级系统集成）、TSV（硅通孔）等技术，将不同功能、不同制程的芯片异构集成，在无需突破制程极限的情况下，实现芯片性能提升与功耗降低。2023年以来，AI芯片需求爆发成为核心驱动力：英伟达H100 GPU采用CoWoS封装，单颗芯片需集成GPU核心、HBM存储与IO芯片；HBM存储更是依赖TSV技术实现垂直堆叠，单台AI服务器对先进封装的需求相当于普通服务器的5-8倍。这种爆发式需求，推动先进封装设备从“辅助环节”跃升为半导体设备市场的“新增长引擎”。

当前，先进封装设备需求全面激增，覆盖光刻、刻蚀、薄膜沉积、键合、测试等全流程。在CoWoS封装领域，晶圆键合设备成为核心增量：应用材料推出的Hybrid Bonding（混合键合）设备，通过铜-铜直接键合替代传统焊料，将键合密度提升10倍，适配3nm以下先进制程芯片集成，2024年订单量同比增长180%；ASM太平洋的高精度倒装键合设备，可实现1μm以下芯片对位，已批量供应台积电、三星的CoWoS产线。TSV技术相关设备中，深硅刻蚀设备需求翻倍，东京电子的TSV刻蚀设备能实现深宽比50:1的硅通孔加工，良率稳定在95%以上；薄膜沉积设备则向“超薄、均匀”升级，Lam Research的原子层沉积（ALD）设备可制备2nm以下的绝缘层，保障TSV的电气性能。此外，先进封装测试设备也同步升级，泰瑞达推出的多通道测试系统，可同时检测16颗集成HBM的AI芯片，测试效率提升3倍，2024年营收占比已超传统测试设备。

先进封装设备的快速增长，为设备厂商提供了两大核心经验。其一，“技术预判与客户协同”是关键。头部设备商早在2020年便预判先进封装趋势，提前与台积电、英伟达等企业合作开发定制化设备——例如应用材料与台积电联合研发混合键合设备，根据CoWoS工艺演进调整设备参数，确保设备与客户产线同步落地，避免“技术脱节”。其二，“全流程设备布局”提升抗风险能力。相比聚焦单一设备品类的厂商，覆盖刻蚀、沉积、键合全流程的设备商（如东京电子、应用材料）更能捕捉需求红利，例如东京电子凭借TSV刻蚀+薄膜沉积的组合方案，在HBM相关设备市场占据40%份额，显著高于单一设备厂商。此外，“工艺与设备深度融合”不可或缺，设备商通过派驻工程师入驻客户工厂，实时优化设备与工艺的适配性，帮助客户快速提升良率，形成“设备销售-工艺服务”的粘性模式。

短期来看，2024-2026年先进封装设备需求将持续高增，AI芯片与HBM存储的产能扩张是核心驱动力，预计全球先进封装设备市场规模将从2023年的80亿美元增至2026年的150亿美元，年复合增长率超23%。光刻、键合、测试设备将成为增长最快的细分品类，尤其混合键合设备，因适配更先进的Chiplet集成，需求增速或超30%。中长期而言，先进封装技术将向“3D立体集成”演进，推动设备向更高精度、更高效率升级——例如键合设备需实现纳米级对位，刻蚀设备需突破100:1的深宽比，这将倒逼设备商加大研发投入。不过，行业也面临挑战：先进封装设备技术壁垒高，研发周期长达3-5年，新进入者难以快速突破；若AI需求出现阶段性放缓，可能导致设备订单波动。未来，设备厂商需持续深化与芯片设计、制造企业的协同，同时拓展汽车电子、工业AI等新兴领域的先进封装需求，确保增长韧性，推动先进封装成为半导体产业可持续发展的核心支撑。